cart-icon Товаров: 0 Сумма: 0 руб.
г. Нижний Тагил
ул. Карла Маркса, 44
8 (902) 500-55-04

Крыжановская наталья: Крыжановская Наталья Владимировна — Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»

    Крыжановская Наталья Владимировна — Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»

  • Статья Kryzhanovskaya N., Likhachev A. I., Blokhin S., Blokhin A. A., Pirogov E. V., Sobolev M. S., Babichev A. V., Gladyshev A. G., Karachinsky L. Y., Novikov I. I. 1.3 μm optically-pumped monolithic VCSEL based on GaAs with InGa(Al)As superlattice active region // Laser Physics Letters. 2022. Vol. 19. No. 7. Article 075801. doi

  • Статья Зубов Ф. И., Moiseev E., Максимов М. В., Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Directional single-mode emission from InGaAs/GaAs quantum-dot half-disk microlasers // IEEE Photonics Technology Letters. 2022. Vol. 34. No. 24. P. 1349-1352. doi

  • Статья Zhukov A., Moiseev E., Nadtochiy A., Makhov I., Ivanov K., Dragunova A., Fominykh N., Shernyakov Y., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Mikushev S., Zubov F., Maximov M., Kryzhanovskaya N. Dynamic characteristics and noise modelling of directly modulated quantum well-dots microdisk lasers on silicon // Laser Physics Letters. 2022. Vol. 19. No. 2. Article 025801. doi

  • Статья Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Zhukov A., Zubov F., Maximov M., Vorobyev A. A., Mozharov A. M., Shernyakov Y., Kalyuzhnyy N., Mintairov S., Kulagina M. M., Dubrovskii V. Half-disk lasers with active region based on InGaAs/GaAs quantum well-dots // Laser Physics. 2022. Vol. 32. No. 12. Article 125802. doi

  • Статья F I Zubov, E I Moiseev, A M Nadtochiy, N A Fominykh, K A Ivanov, I S Makhov, A S Dragunova, M V Maximov, N A Kryzhanovskaya, A E Zhukov. Improvement of thermal resistance in InGaAs/GaAs/AlGaAs microdisk lasers bonded onto silicon // Semiconductor Science and Technology. 2022. Vol. 37. No. 7. Article 075010. doi

  • Статья Reznik R. R., Ilkiv I. V., Kotlyar K. P., Gridchin V. O., Bondarenko D. N., Lendyashova V. V., Ubyivovk E. V., Anna S. Dragunova, Natalia V. Kryzhanovskaya, Cirlin G. E. Molecular-Beam Epitaxy Growth and Properties of AlGaAs Nanowires with InGaAs Nanostructures // Physica Status Solidi — Rapid Research Letters. 2022. Vol. 16. No. 7. Article 2200056. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Zubov Fedor I., Moiseev E., Dragunova A., Ivanov K., Maximov Mikhail V., Zhukov A. On-chip light detection using integrated microdisk laser and photodetector bonded onto Si board // Laser Physics Letters. 2022. Vol. 19. No. 1. Article 016201. doi

  • Глава книги A. E. Zhukov, E. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, N. A. Fominykh, K. A. Ivanov, I. S. Makhov, A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, M. V. Maximov, Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Shernyakov Y. M., Gordeev N. Optical loss and noise modelling in microdisk lasers with InGaAs quantum well-dots, in: 2022 International Conference Laser Optics (ICLO). IEEE, 2022. doi doi

  • Глава книги Kryzhanovskaya N., Dragunova A., Fominykh N., M.V. Maximov, Moiseev E., F.I. Zubov, Ivanov K., Makhov I., Mozharov A. M., Kaluzhnyy N., Mintairov S., Guseva Y. A., Gordeev N., Zhukov A. Performance of InGaAs/GaAs Microdisk Lasers with Improved Thermal Resistance, in: 2022 International Conference Laser Optics (ICLO). IEEE, 2022. doi P. 1-1. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Dragunova A., Комаров С. Д., Zhukov A., Balakirev S., Chernenko N., Shandyba N., Kirichenko D., Solodovnik M. Photoluminescence properties of InAs quantum dots overgrown by a low-temperature GaAs layer under different arsenic pressures // Electronics. 2022. Vol. 11. No. 23. Article 4062. doi

  • Глава книги I. A. Melnichenko, A. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, Viazmitinov D. V., Semenova E., Berdnikov Y. Photoluminescence study of InP and In(As, P) inclusions into Si (100) substrate, in: 23rd Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021) 22/11/2021 — 26/11/2021 Online Vol. 2227. IOP Publishing, 2022. doi

  • Статья Pidgayko D., Ivan Melnichenko, Shkoldin V., Logunov L., Kryzhanovskaya N., Samusev A., Bogdanov A. Radiation outcoupling from microdisk lasers via dielectric resonant nanoantennas // Photonics and Nanostructures — Fundamentals and Applications. 2022. Vol. 52. Article 101081. doi

  • Статья Gridchin V. O., Dvoretckaia L. N., Kotlyar K. P., Reznik R. R., Parveneva A. V., Anna S. Dragunova, Natalia V. Kryzhanovskaya, Dubrovskii V. G., Cirlin G. E. Selective Area Epitaxy of GaN Nanowires on Si Substrates Using Microsphere Lithography: Experiment and Theory // Nanomaterials. 2022. Vol. 12. No. 14. Article 2341. doi

  • Статья Мельниченко И. А., Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Makhov I., Nadtochiy A., Zhukov A. Submicron-Size Emitters of the 1.2–1.55 um Spectral Range Based on InP/InAsP/InP Nanostructures Integrated into Si Substrate // Nanomaterials. 2022. Vol. 12. Article 4213. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Zhukov A., Zubov F., Maximov M., Shernyakov Y., Gordeev N., Mintairov S., Kalyuzhnyy N. Ultrahigh modal gain in stripe injection lasers and microlasers based on InGaAs/GaAs quantum dots // Quantum Electronics. 2022. Vol. 52. No. 7. P. 593-596.

  • Статья Минтаиров С. , С.А. Блохин, Калюжный Н., М.В. Максимов, Малеев Н., А.М. Надточий, Салий Р., Н.В. Крыжановская, А.Е. Жуков Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs // Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 4. С. 32-35. doi

  • Статья Жуков А. Е., Надточий А. М., Крыжановская Н. В., Максимов М. В. Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 9. С. 922-927. doi

  • Статья Махов И. С., Бекман А. А., Кулагина М. М., Гусева Ю. А., Крыжановская Н. В., Надточий А. М., Максимов М. В., Жуков А. Е. Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs // Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 12. С. 40-43. doi

  • Статья Гордеев Н. Ю., Моисеев Э. И., Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В., Бекман А. А., Корнышов Г. О., Зубов Ф. И., Шерняков Ю. М., Жуков А. Е., Максимов М. В. Температурные характеристики кольцевых лазеров с активной областью на основе InAs/InGaAs/GaAs-квантовых точек оптического диапазона 1. 3 μm // Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 18. С. 36-40. doi

  • Статья Zhukov A., Blokhin S., Maleev N. A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., Zubov F., Maximov M. Frequency response and carrier escape time of InGaAs quantum well-dots photodiode // Optics Express. 2021. Vol. 29. No. 25. P. 40677-40686. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Zhukov A., Moiseev E., Maximov M. III–V microdisk/microring resonators and injection microlasers // Journal of Physics D: Applied Physics. 2021. Vol. 54. Article 453001. doi

  • Статья Зубов Ф. И., Максимов М. В., Moiseev E., Berdnikov Y., Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Improved performance of InGaAs/GaAs microdisk lasers epi-side down bonded onto a silicon board // Optics Letters. 2021. Vol. 46. No. 16. P. 3853-3856. doi

  • Глава книги Scherbak S. A., Moiseev E., I A Melnichenko, Guseva J. A., M V Maximov, Lihachev A. I., Kryzhanovskaya N. , Lipovski A. A., Zhukov A. Influence of dielectric overlayers on self-heating of a microdisk laser, in: Journal of Physics: Conference Series Vol. 2086: 8th International School and Conference «Saint Petersburg OPEN 2021»: Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (SPbOPEN 2021) 25-28 May 2021, Saint Petersburg, Russia. IOP Publishing, 2021. Ch. 012100. doi

  • Глава книги Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Maximov M., Dragunova A., Zhukov A. Monolithic and hybrid integration of InAs/GaAs quantum dot microdisk lasers on silicon, in: Integrated Optics: Design, Devices, Systems and Applications VI Vol. 11775. Washington : SPIE, 2021. doi Ch. 117750P. P. 75-79. doi

  • Статья Gridchin V. O., Kotlyar K. P., Reznik R. R., Dragunova A., Kryzhanovskaya N., Lendyashova V. V., Kirilenko D. A., Soshnikov I. P., Shevchuk D. S., Cirlin G. G. Multi-colour light emission from InGaN nanowires monolithically grown on Si substrate by MBE // Nanotechnology. 2021. Vol. 32. No. 33. Article 335604. doi

  • Статья Zhukov A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Максимов М. В. Quantum-dot microlasers based on whispering gallery mode resonators // Light: Science and Applications. 2021. Vol. 10. P. 1-11. doi

  • Глава книги Isaev N. K., E. I. Moiseev, N. A. Fominykh, N. V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, K. A. Ivanov, I. S. Makhov, M. V. Maximov, A. E. Zhukov. Temperature stability of small-signal modulation response of WGM microlasers with InGaAs/GaAs quantum well-dots in the active region, in: 8th International School and Conference «Saint Petersburg OPEN 2021» on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, SPbOPEN 2021. Institute of Physics Publishing (IOP), 2021. Ch. 012082. doi

  • Статья Крыжановская Н. В., Мельниченко И. А., Букатин А., Корнев А., Филатов Н. А., Щербак С. А., Липовский А. А., Драгунова А. С., Кулагина М. М., Лихачев А. И., Фетисова М. В., Редуто И. В., Максимов М. В., Жуков А. Е. Исследование чувствительности микродискового лазера к изменению показателя преломления окружающей среды // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 19. С. 30-33. doi

  • Статья Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Зубов Ф. И., Максимов М. В., Гордеев Н. Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 9. С. 820-825. doi

  • Статья Зубов Ф. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Драгунова А. С., Блохин С. А., Жуков А. Е. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 20. С. 3-6. doi

  • Статья Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Драгунова А. С., Надточий А. М., Максимов М. В., Гордеев Н. Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 12. С. 1223-1228. doi

  • Статья Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Максимов М. В., Драгунова А. С. Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 2. С. 195-200. doi

  • Статья Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Драгунова А. С., Крыжановская Н. В., Кулагина М., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Зубов Ф. И., Максимов М. В. Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 13. С. 28-31. doi

  • Глава книги Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Zhukov A., Maksimov M. V. Analysis of the lasing characteristics of InGaAs/GaAs WGM microlasers, in: 7th International School and Conference «Saint-Petersburg OPEN 2020» on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Ed. by A. Zhukov. Vol. 1695: 7th International School and Conference «Saint Petersburg OPEN 2020»: Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. Bristol : Institute of Physics Publishing (IOP), 2020. doi doi

  • Статья Расходчиков А. В., Щербак С. А., Kryzhanovskaya N., Липовский А. А., Zhukov A. Dielectric surrounding bleaches the optical bond between a microdisk resonator and a straight optical waveguide // Journal of Physics: Conference Series. 2020 (в печати)

  • Глава книги Scherbak S., Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Dielectric surrounding bleaches the optical bond between a microdisk resonator and a straight optical waveguide, in: 7th International School and Conference «Saint-Petersburg OPEN 2020» on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Ed. by A. Zhukov. Vol. 1695: 7th International School and Conference «Saint Petersburg OPEN 2020»: Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. Bristol : Institute of Physics Publishing (IOP), 2020. doi P. 012128-1-012128-6. doi

  • Глава книги Moiseev E. , Kryzhanovskaya N., Maximov M., Zhukov A. Experimental investigation of the far-field emission pattern of microdisk laser modes, in: 7th International School and Conference «Saint-Petersburg OPEN 2020» on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Ed. by A. Zhukov. Vol. 1695: 7th International School and Conference «Saint Petersburg OPEN 2020»: Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. Bristol : Institute of Physics Publishing (IOP), 2020. doi P. 012094-1-012094-5. doi

  • Статья Zhukov A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Nadtochiy A., Dragunova A., Maximov M., Berdnikov Y., Zubov F. I., Mintairov S. A., Kadinskaya S. A., Kulagina M. M., Kalyuzhnyy N. A. Impact of Self-heating and Elevated Temperature on Performance of Quantum Dot Microdisk Lasers // IEEE Journal of Quantum Electronics. 2020. Vol. 56. No. 5. P. 1-8. doi

  • Статья Zhukov A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E. , Dragunova A., Tang M., Chen S., Huiyun L., Kulagina M. M., Kadinskaya S. A., Zubov F. I., Mozharov A. M., Максимов М. В. InAs/GaAs quantum dot microlasers formed on silicon using monolithic and hybrid integration methods // Materials. 2020. Vol. 13. No. 10. Article 2315. doi

  • Глава книги Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Maximov M., Zhukov A. Investigation of microdisk and microring lasers based on InGaAs/GaAs QWDs by the interferometry method, in: 7th International School and Conference «Saint-Petersburg OPEN 2020» on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Ed. by A. Zhukov. Vol. 1695: 7th International School and Conference «Saint Petersburg OPEN 2020»: Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. Bristol : Institute of Physics Publishing (IOP), 2020. doi P. 012093-1-012093-4. doi

  • Статья Maximov M., Nadtochiy A., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Зубов Ф. И. , Zhukov A. Light Emitting Devices Based on Quantum Well-Dots // Applied Sciences (Switzerland). 2020. Vol. 10. No. 3. Article 1038. doi

  • Глава книги Kryzhanovskaya N., Максимов М. В., Zhukov A. Microdisk lasers for high-sensitive protein detection in microfluidic devices, in: SPIE PHOTONICS EUROPE 2020 Biophotonics in Point-of-Care Vol. 11361: Biophotonics in Point-of-Care. Bellingham : SPIE, 2020. doi doi

  • Статья Yury Berdnikov, Natalia Kryzhanovskaya, Anna Dragunova. Monolithic integration of InP on Si by molten alloy driven selective area epitaxial growth // Nanoscale. 2020 doi (в печати)

  • Книга Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Максимов М. В., Zhukov A. SPIE PHOTONICS EUROPE 2020 Biophotonics in Point-of-Care Vol. 11361: Biophotonics in Point-of-Care. Bellingham : SPIE, 2020. doi

  • Глава книги Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Максимов М. В., Zhukov A., Blokhin S. Small-signal modulation and 10 Gb/s data transmission by microdisk lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots, in: SPIE PHOTONICS EUROPE 2020 Biophotonics in Point-of-Care Vol. 11361: Biophotonics in Point-of-Care. Bellingham : SPIE, 2020. doi doi

  • Статья Fetisova M., Kryzhanovskaya N., Reduto I., Valentina Zhurikhina, Morozova O., Raskhodchikov A., Roussey M., Pelisset S., Kulagina M., Guseva Y., Lipovskii A., Maximov M., Zhukov A. Strip-loaded horizontal slot waveguide for routing microdisk laser emission // Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics. 2020. Vol. 37. No. 6. P. 1878-1885. doi

  • Статья Zhukov A., Moiseev E., Nadtochiy A., Kryzhanovskaya N., Kulagina M., Mintairov S., Kalyuzhnyi N., Zubov F., Maximov M. The Effect of Self-Heating on the Modulation Characteristics of a Microdisk Laser // Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. P. 515-519. doi

  • Статья Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Крыжановская Н. В., Кулагина М. М., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Зубов Ф. И., Максимов М. В. Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера // Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 11. С. 3-7. doi

  • Статья Бабичев А. В., Кадинская С. А., Шубина К. Ю., Васильев А. А., Блохин С. А., Моисеев Э. И., Блохин А. А., Мухин И. С., Елисеев И. А., Давыдов В. Ю., Брунков П. Н., Крыжановская Н. В., Егоров А. Ю. Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 9. С. 833-840. doi

  • Статья Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Драгунова А. С., Крыжановская Н. В., Кулагина М. М., Можаров А. М., Кадинская С. А., Симчук О. И., Зубов Ф. И., Максимов М. В. Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs // Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 16. С. 3-6. doi

  • Статья Крыжановская Н. В., Надточий А. М., Моисеев Э. И., Жуков А. Е., Харченко А. А., Минтаиров С. А., Калюжный Н. А., Кулагина М. М., Максимов М. В. Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек // Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 13. С. 7-10. doi

  • Статья Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Максимов М. В. Предельная температура генерации микродисковых лазеров // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 6. С. 570-574. doi

  • Статья Моисеев Э. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В., Симчук О. И., Кадинская С. А., Жуков А. Е. Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 2. С. 212-216. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Зубов Ф. И., Можаров А., Максимов М. В., Калюжный Н. А., Минтаиров С. А., Кулагина М. М., Гусева Ю., Blokhin S., Кудрявцев К., Яблонский А., Морозов С., Berdnikov Y., Рувимов С., Zhukov A. Direct modulation characteristics of microdisk lasers with InGaAs/GaAs quantum well-dots // Photonics Research. 2019. Vol. 7. No. 6. P. 664-668. doi

  • Статья Zhukov A, Natalia Kryzhanovskaya. Dynamics of Broadband Lasing Cascade from a Single Dot-in-well InGaAs Microdisk // Scientific Reports. 2019. Vol. 9. No. 1. P. 5635. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Зубов Ф. И., Можаров А., Максимов М. В., Калюжный Н. А., Минтаиров С. А., Blokhin S., Гусева Ю., Кулагина М. М., Berdnikov Y., Zhukov A. Evaluation of energy-to-data ratio of quantum-dot microdisk lasers under direct modulation // Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 126. No. 6. P. 063107. doi

  • Статья Bolshakov A., Fedorov V., Sibirev N., Fetisova M., Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Koval O., Ubyivovk E., Mozharov A., Cirlin G., Mukhin I. Growth and Characterization of GaP/GaPAs Nanowire Heterostructures with Controllable Composition // Physica Status Solidi — Rapid Research Letters. 2019. Vol. 13. No. 11. P. 1900350. doi

  • Статья Zubov F., Maximov M., Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Zhukov A. High speed data transmission using directly modulated microdisk lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots // Optics Letters. 2019. Vol. 44. No. 22. P. 5442-5445. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Scherbak, S., Maximov M., Zhukov A. Lasing in III-V microdisk core — TiO2 shell lasers // Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics. 2019. Vol. 36. No. 8. P. 2285-2291. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E. Resonance reflection of light by ordered silicon nanopillar arrays with the vertical p-n junction // Thin solid films. 2019. Vol. 672. P. 109-113. doi

  • Статья Фетисова М., Корнев А., Букатин А., Филатов Н., Елисеев И., Крыжановская Н. В., Редуто И., Моисеев Э. И., Максимов М. В., Жуков А. Е. Использование микродисковых лазеров с квантовыми точками InAs/InGaAs для биодетектирования // Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 23. С. 10-13. doi

  • Статья Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Максимов М. В., Жуков А. Е. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs // Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 19. С. 37-39. doi

  • Статья Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Блохин С. А., Максимов М. В. Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции // Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. № 8. С. 1122-1127. doi

  • Статья Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Зубов Ф. И., Можаров А., Калюжный Н. А., Минтаиров С. А., Кулагина М. М., Блохин С. А., Максимов М. В. Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точкам // Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 16. С. 49-51. doi

  • Статья Raskhodchikov A. V., Scherbak S., Kryzhanovskaya N., Zhukov A., Lipovskii A. A. Dielectric surrounding decimates eigenmodes of microdisk optical resonators // Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1124. No. 5. P. 051031. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Polubavkina Y., Maximov M., Lipovskii A. , Zhukov A. Elevated temperature lasing from injection microdisk lasers on silicon // Laser Physics Letters. 2018. Vol. 15. No. 1. P. 015802. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Polubavkina Y., Moiseev E., Maximov M., Zhurikhina V., Scherbak S., Lipovskii A., Kulagina M., Zadiranov Y., Mukhin I., Komissarenko F., Bogdanov A., Krasnok A., Zhukov A. Enhanced light outcoupling in microdisk lasers via Si spherical nanoantennas // Journal of Applied Physics. 2018. Vol. 124. No. 16. P. 163102. doi

  • Статья Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Zhukov A., Nadtochiy A. Highly efficient injection microdisk lasers based on quantum well-dots // Optics Letters. 2018. Vol. 43. No. 19. P. 4554-4557. doi

  • Статья Fetisova M. V., Kryzhanovskaya N., Reduto I. V., Moiseev E., Blokhin S., Kotlyar K. P., Scherbak S., Lipovskii A. A., Kornev A. A., Bukatin A. S., Maximov M., Zhukov A. Room temperature lasing from microdisk laser in aqueous medium // Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1124. No. 5. P. 051007. doi

  • Статья Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. Спектральные характеристики отражения микромассивов кремниевых нанопилларов // Оптика и спектроскопия. 2018. Т. 124. № 5. С. 695-699. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Polubavkina Y., Moiseev E., Zhurikhina V., Zubov F., Lipovskii A., Maximov M., Zhukov A. 3.5- μ m radius race-track microlasers operating at room temperature with 1.3- μ m quantum dot active region // Journal of Applied Physics. 2017. Vol. 121. No. 4. P. 043104. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Polubavkina Y., Maximov M., Lipovskii A., Zhukov A. Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si(100) with Ge/GaAs buffer // Optics Express. 2017. Vol. 25. No. 14. P. 16754-16760. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Polubavkina Y., Maximov M., Lipovskii A., Zhukov A. Heat-sink free CW operation of injection microdisk lasers grown on Si substrate with emission wavelength beyond 13 μm // Optics Letters. 2017. Vol. 42. No. 17. P. 3319-3322. doi

  • Статья Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Polubavkina Y., Maximov M., Lipovskii A., Mukhin I., Mozharov A., Zhukov A. Light Outcoupling from Quantum Dot-Based Microdisk Laser via Plasmonic Nanoantenna // ACS Photonics. 2017. Vol. 4. No. 2. P. 275-281. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Polubavkina Y., Zubov F., Maximov M., Lipovskii A., Zhukov A. Microdisk lasers based on GaInNAs(Sb)/GaAs(N) quantum wells // Journal of Applied Physics. 2016. Vol. 120. No. 33. P. 233103. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Moiseev E., Zubov F., Lipovskii A., Maximov M., Zhukov A. Continuous-wave lasing at 100°C in 1.3 µm quantum dot microdisk diode laser // Electronics Letters. 2015. Vol. 51. No. 17. P. 1354-1355. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Mukhin I., Maximov M., Lipovskii A., Moiseev E., Zhukov A. Mode selection in InAs quantum dot microdisk lasers using focused ion beam technique // Optics Letters. 2015. Vol. 40. No. 17. P. 4022-4025. doi

  • Статья Zubov F., Maximov M., Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Observation of zero linewidth enhancement factor at excited state band in quantum dot laser // Electronics Letters. 2015. Vol. 51. No. 21. P. 1686-1688. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Zhukov A., Maximov M., Moiseev E., Nadtochiy A., Lipovskii A. Room Temperature Lasing in 1-μm Microdisk Quantum Dot Lasers // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics. 2015. Vol. 21. No. 6. P. 709-713. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Maximov M., Zhukov A., Nadtochiy A., Moiseev E., Lipovskii A. Single-Mode Emission From 4-9-μm Microdisk Lasers with Dense Array of InGaAs Quantum Dots // Journal of Lightwave Technology. 2015. Vol. 33. No. 1. P. 171-175. doi

  • Статья Kryzhanovskaya N., Mukhin I., Moiseev E., Nadtochiy A., Zhukov A., Maximov M., Lipovskii A. Control of emission spectra in quantum dot microdisk/microring lasers // Optics Express. 2014. Vol. 22. No. 21. P. 25782-25787. doi

  • Статья Maximov M., Kryzhanovskaya N., Nadtochiy A., Moiseev E., Zhukov A., Lipovskii A. Ultrasmall microdisk and microring lasers based on InAs/InGaAs/GaAs quantum dots // Nanoscale Research Letters. 2014. Vol. 9. No. 1. P. 657-657. doi

    • Крыжановская Наталья Александровна — Клиника Екатерининская

    Крыжановская Наталья Александровна — Клиника Екатерининская

    1

    Выберите специальность

    Педиатр

    возраст до 18 лет

    1600 ₽

    2

    Выберите место приема

    loading filial

    3

    Выберите дату приема

    loading

    • . .
    • ..
    • ..
    • ..
    • ..
    • ..
    • ..

    4

    Выберите доступное время

    • ..
    • ..
    • ..
    • . .
    • ..
    • ..
    • ..

    5

    Для записи оставьте свои контактные данные

    Укажите свое ФИО и номер телефона

    SMS

    Подтверждение записи

    Введите код отправленный в sms

    Готово! Будем ждать Вас в назначенное время

    Обязательно возьмите с собой

    • паспорт
    • или иной документ удостоверяющий личность

    Если вы планируете впервые привести вашего ребенка

    • паспорт (родителя)
    • свидетельство о рождении ребенка
    • Кабардино-Балкарский ордена Дружбы народов государственный университет, 1996г, квалификация врач по специальности «Лечебное дело»
    • Кабардино-Балкарский ордена Дружбы народов государственный университет, интернатура по специальности «Педиатрия», 1997г.
    • Новосибирский государственный медицинский университет, повышение квалификации по специальности «Педиатрия», 144ч., 2020 г.
    • Наблюдение за детьми всех возрастных групп.
    • Контроль роста и развития ребенка, диспансерный осмотр.
    • Профилактика, диагностика и лечение.
    • Консультации по иммунопрофилактике, составление индивидуального календаря прививок.
    • Оформление документов для посещения ДДУ и школ, спортивных секций.
    • Педиатрия — 26.12.2025

    Нам все понравилось на приеме. Все прошло хорошо. К доктору обращались впервые. Нашли ее по отзывам в интернете. Нам понравилось качество осмотра. Она нашла подход к нашему ребенку. Отношение к детям хорошее. Наталья Александровна назначила нам лечение. Мы почти вылечились. Повторный прием нам не нужен. Можем ее посоветовать своим друзьям и знакомым.

    Запишитесь на консультацию

    Укажите свой номер телефона.
    Мы свяжемся с вами в ближайшее время.

    Продолжая использовать www.clinic23.ru, вы соглашаетесь на использование файлов cookie. Как запретить использование определенных файлов cookie можно найти в Политике

    Перспективный тип инжекционных лазеров – тема научной работы в области нанотехнологий. Скачайте научную статью в формате PDF и читайте бесплатно в открытом научном центре КиберЛенинка.

    lopscience

    ¡opscience.iop.org

    Главная Поиск Коллекции Журналы О нас Свяжитесь с нами Мой IOPscience

    Лазеры с асимметричными барьерными слоями: перспективный тип инжекционных лазеров

    Этот контент был загружен с IOPscience. Пожалуйста, прокрутите вниз, чтобы увидеть полный текст. 2016 Ж. физ.: конф. сер. 741 012111 (http://iopscience.iop.org/1742-6596/741/1/012111)

    Просмотрите содержание этого выпуска или перейдите на домашнюю страницу журнала для получения дополнительной информации. Сведения о загрузке: IP-адрес: 80.82.77.83

    Этот контент был загружен 28/02/2017 в 08 :50 Обратите внимание, что применяются положения и условия.

    Вас также могут заинтересовать:

    Изображения барьерного слоя анодного оксида алюминия в воздухе, полученные с помощью сканирующего туннельного микроскопа Seizo Morita, Kingo Itaya и Nobuo Mikoshiba

    Ленточный лазер с квантовыми ямами

    Левон В Асрян, Наталья В Крыжановская, Михаил В Максимов и др.

    Улучшение напряжения и коэффициента заполнения за счет использования тонкой пленки оксида цинка в качестве барьерного слоя в солнечных элементах, сенсибилизированных красителем

    Wang Peng, Wang Li-Duo, Li Bin et al.

    Искусственные центры пиннинга с использованием барьерного слоя шаблонов из упорядоченного нанопористого оксида алюминия X Hallet, S Matefi-Tempfli, M Matefi-Tempfli et al.

    Диапазон электронно-дырочной рекомбинации под контролем пленочного барьера Ленгмюра-Блоджетт Миндэ Джин и Гуанмин Ван

    Формирование поверхностного слоя при микродуговом оксидировании алюминиевых сплавов Михеев А.Е., Гирн А.В., Вахтеев Е.В.

    Термическая стабильность в барьере Шоттки Al/Ti/GaAs Tohru Hara, Jian Yao Zhu, Akira Mochizuki et al.

    Различное влияние металла Шоттки на деформацию и относительную диэлектрическую проницаемость барьерного слоя между диодами Шоттки на гетероструктуре AlN/GaN и AlGaN/GaN

    Lu Yuan-Jie, Feng Zhi-Hong, Gu Guo-Dong et al.

    Journal of Physics: Серия конференций 741 (2016) 012111

    Лазеры с асимметричными барьерными слоями: перспективный тип инжекционных лазеров

    Левон В Асрян1, Федор И Зубов2, Наталья В Крыжановская2, Михаил В Максимов2, Алексей Е Жуков2

    1 Политехнический институт и государственный университет Вирджинии, Блэксбург, Вирджиния 24061 , США

    2 Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург 194021, Россия

    E-mail: asryan@vt. edu

    Abstract

    Мы представляем обзор наших теоретических и экспериментальных работ по новый тип полупроводниковых лазеров — лазеры с квантовыми ямами (КЯ) с асимметричными барьерными слоями (АБС). Наша экспериментальная работа подтверждает наши теоретические выводы — лазеры ABL с КЯ демонстрируют превосходные рабочие характеристики по сравнению с обычными лазерами с КЯ. В частности, пороговый ток ниже и более устойчив к температуре, ватт-амперная характеристика более линейна, а эффективность настенной розетки выше в лазерах ABL.

    1. Введение

    Низкий порог генерации, а также температурно-стабильная работа и высокая мощность всегда были желательны для полупроводниковых лазеров [1]-[13]. В обычных диодных лазерах с квантоворазмерной активной областью значительная часть электронов и дырок не попадает в активную область и, следовательно, не способствует стимулированной рекомбинации в ней. Вместо этого эта доля расходуется на спонтанную рекомбинацию в области волновода [оптический ограничивающий слой (ОСЛ)], в которую носители изначально инжектируются из слоев оболочки и которая содержит (в своей центральной части) активную область [рис. 1(а) ]. Паразитная электронно-дырочная рекомбинация за пределами низкоразмерной активной области представляет собой серьезную проблему в обычных инжекционных лазерах. Из-за этой рекомбинации отрицательно сказываются характеристики лазера — пороговый ток увеличивается и становится более чувствительным к температуре, а ватт-амперная характеристика (ТСХ) сублинейна даже при отсутствии эффектов нагрева.

    Для преодоления ограничений рабочих характеристик, налагаемых рекомбинацией вне активной области, были предложены новые конструкции полупроводниковых лазеров, использующие двойную туннельно-инжекторную инжекцию (инжекцию как электронов, так и дырок) в активную область [14]-[22]. ] и другой с использованием асимметричных барьерных слоев (ABL) [15]-[17] [по одному с каждой стороны активной области — см. рис. 1(b, c)]. Активная область в этих новых лазерах может иметь форму либо одиночной квантовой ямы (КЯ), либо одного слоя с квантовыми точками.

    Здесь мы представляем обзор наших теоретических [23]-[27] и экспериментальных [28]-[32] работ по лазерам с КЯ ABL. Наша экспериментальная работа подтверждает наши теоретические выводы — лазеры ABL с КЯ демонстрируют превосходные рабочие характеристики по сравнению с обычными лазерами с КЯ. В частности, пороговый ток ниже и более устойчив к температуре, LCC более линейна, а эффективность сетевой розетки выше в лазерах ABL.

    0 I Содержание этой работы может быть использовано в соответствии с условиями лицензии Creative Commons Attribution 3.0. Любое дальнейшее распространение

    I этой работы должен поддерживать указание автора (авторов) и название работы, цитирование в журнале и DOI.

    Опубликовано по лицензии IOP Publishing Ltd 1

    Journal of Physics: Conference Series 741 (2016) 012111

    ) промежуточные слои. Вертикальные стрелки показывают электронно-дырочную рекомбинацию.

    2. Лазерные структуры ABL

    На рис. 1(b, c) показаны схематические диаграммы энергетических зон лазеров ABL. Барьерные слои асимметричны тем, что имеют существенно разную высоту для носителей разного знака. Слой, расположенный на стороне инжекции электронов (дырок) структуры [левая (правая) сторона на рис. 1(b, c)] обеспечивает низкий барьер (в идеале отсутствие барьера) для электронов (дырок) [чтобы не препятствовать легкому приближению электронов (дырок) к активной области] и высокий барьер для дырок (электронов) [так что дырки (электроны), инжектированные с противоположной стороны структуры, не преодолевают ее].

    Таким образом, использование АПС в структуре рис. 1(б) обеспечит отсутствие одновременно электронов и дырок (и, следовательно, паразитной электронно-дырочной рекомбинации) вне активной области. Однако в структуре на рис. 1(с) будут и электроны, и дырки (и, следовательно, некоторая электронно-дырочная рекомбинация) не только в активной области, но и в двух промежуточных слоях, расположенных между активной областью и каждым из АПС. Наличие этих тонких промежуточных слоев может быть необходимо для облегчения переключения потоков в процессе эпитаксиального роста и для предотвращения повторного испарения активной области [33, 34].

    Ниже обсуждаются расчетные и экспериментальные характеристики лазеров ABL с КЯ.

    3. Пороговые характеристики

    Пороговая плотность тока лазера с КЯ определяется как сумма плотностей тока спонтанной излучательной рекомбинации в КЯ и вне КЯ,

    j — j КЯ , j вне (1)

    Jth Vspon Vspon,th • W

    Плотности тока спонтанной излучательной рекомбинации внутри и вне КЯ равны

    jQOn = «Q>QW, (2)

    ■снаружи _ loutside n снаружи снаружи /»j\

    Jspon, th — eb B3Dnth -Fth , (3)

    где e — заряд электрона, B2D — коэффициент спонтанной излучательной рекомбинации для двумерной области ( КЯ) (выражение для B2D см. в [35]), nQW и pQW — двумерные концентрации электронов и дырок в КЯ, boutslde — толщина области вне КЯ, в которой происходит паразитная электронно-дырочная рекомбинация, B3D спонтанная излучательная рекомбинация

    Journal of Physics: Conference Series 741 (2016) 012111

    коэффициент для материала этой области (выражение для B3D см. в [5, 35]), а n 0utslde и pt;utside – концентрации свободных электронов и дырок в этой области на пороге генерации.

    В обычных лазерах с КЯ (CQWL) boutslde представляет собой толщину всего OCL и, следовательно, является большой [300 нм в структуре на рис. 5(a)]. В лазере ABL QW с промежуточными слоями boutslde представляет собой сумму толщин промежуточных слоев, которые очень малы (по 5 нм каждый в структуре на рис. 5(b)) и, следовательно, очень малы. В лазере с КЯ ABL без промежуточных слоев boutslde просто равно нулю, поскольку вне КЯ нет области, в которой происходит электронно-дырочная рекомбинация.

    Следовательно, плотность тока паразитной рекомбинации j’OOvte высока в КЯЯ, мала в лазере на КЯ ABL

    с промежуточными слоями и равна нулю в лазере на КЯ ABL без промежуточных слоев. Это показано на рисунках 2 и 3, на которых показана рассчитанная пороговая плотность тока в зависимости от длины резонатора и температуры соответственно. Как видно из рисунков, пороговая плотность тока в эталонной КЯЯ значительно выше, чем в обоих лазерах с КЯ ABL, и нет большой разницы между пороговой плотностью тока в лазерах с КЯ ABL без промежуточных слоев и с ними. 9, и, следовательно, T0 очень велико (в идеале T0, рассчитанное для

    j’sQon, равно T — см. [23]). В лазере с КЯ АБЛ с промежуточными слоями температурная зависимость jth обусловлена ​​такой зависимостью как плотностей рекомбинационного тока в КЯ, так и вне ее. При длинах резонатора, значительно превышающих наименьшую длину резонатора (минимально допустимая длина резонатора, ниже которой генерация невозможна, см. [36]), вклад паразитной рекомбинации в промежуточных слоях мал и, следовательно, Т0 велико и в это лазер ABL с КЯ [23]. Это показано на рис. 4, на котором показано расчетное значение T0 относительно полости.

    На рисунках 6 и 7 показаны пороговые характеристики, измеренные в нашей экспериментальной лазерной структуре ABL QW с промежуточными слоями [структура на рисунке 5(b)] — T0 в зависимости от обратной длины резонатора, а T0 и jth в зависимости от температуры. Для сравнения также представлены характеристики, измеренные для эталонной структуры CQWL [структура на рис. 5(a)]. Как видно из рисунков, T0 значительно выше у лазера ABL с КЯ по сравнению с эталонным CQWL. В частности, при рабочей температуре 20 °С T0 составляет 143 К в лазере с КЯ ABL, а 9int(j) — внутренняя дифференциальная квантовая эффективность (эффективность вынужденной рекомбинации).

    В CQWL внутренняя квантовая эффективность является убывающей функцией плотности инжекции. В работах [37]–[39] для для получено следующее выражение: плотность тока в зависимости от длины резонатора в лазерах ABL с квантовыми ямами без промежуточных слоев и с ними, а также в эталонном обычном лазере с квантовыми ямами (CQWL).

    ABL QWL

    ABL QWL IL

    0,67 L (мм)

    Рис. 4. Характеристическая температура в зависимости от длины резонатора в лазерах ABL с КЯ без промежуточных слоев и с ними и эталонным CQWL.

    Рис. 6. Экспериментальные (символы) и расчетные (кривые) зависимости характеристической температуры от обратной длины резонатора в лазере на КЯ ABL с промежуточными слоями (сплошная кривая, темные квадраты) и эталонной КЯЯ (штриховая кривая, светлые квадраты).

    КВЛ, 9int( J) =

    снаружи 1 J spon, th

    2 < Jc

    capt, th )harmon

    снаружи

    1 Jspon, th

    2 < Jcapt,th 0

    9000

    J — Jth

    < Jcapt, th )geom < Jcapt, th )

    где

    капт, й )гармон

    Йкапт, н, й й капт, р, й

    окап, й )геом \ йкапт, н, й й капт, р, й . (8)

    Как видно из (6), чем выше плотность тока паразитной рекомбинации на пороге генерации j0pon,dh, тем сильнее уменьшается rjint с ростом j. Следовательно, rjint значительно уменьшается с j

    , а LCC сильно сублинейна в CQWL. Как уже упоминалось выше, js0pu0tsni,dthe очень мало в

    лазере с КЯ ABL с промежуточными слоями и просто равно нулю в лазере с КЯ ABL без промежуточных слоев. Следовательно, rjmt незначительно уменьшается с ростом j в лазере на КЯ АБЛ с промежуточными слоями и постоянно (единица) в лазере на КЯ АБЛ без промежуточных слоев; следовательно, в лазере ABL с КЯ с промежуточными слоями ЛЦП лишь слегка сублинейна, а в лазере с КЯ ABL без промежуточных слоев практически линейна. Это показано на рисунках 8-10, на которых представлены следующие характеристики, рассчитанные как функции тока инжекции: ток паразитной рекомбинации вне квантовой ямы, внутренняя дифференциальная квантовая эффективность и LCC. 9Рис. 7. Экспериментальная плотность тока характеристическая температура (кружки, правая ось) в зависимости от температуры: темные символы — лазер ABL QW с промежуточными слоями, открытые символы — ссылка CQWL. Длина полости 0,5 мм.

    На рис. 12 показана экспериментальная ЛЦК в лазере с КЯ ABL и эталонная ЛКЯ с рис. 11. Как видно из рис. 12, при обеих рабочих температурах 20 и 60 °C ЛЦК более линейна, а выходная мощность выше в АПС лазер.

    На рис. 13 показана эффективность экспериментального настенного штекера

    в лазере ABL с КЯ с промежуточными слоями и эталонным CQWL на рис. 5. Как видно из рис. 13, при рабочих температурах 20 и 75 °C эффективность заметно выше в лазер АБЛ.

    5. Выводы

    Мы представили обзор наших теоретических и экспериментальных работ по полупроводниковым лазерам нового типа — лазерам с квантовыми ямами (КЯ) с асимметричными барьерными слоями (АБС). Наша экспериментальная работа подтверждает наши теоретические выводы — лазеры ABL с КЯ демонстрируют превосходные рабочие характеристики по сравнению с обычными лазерами с КЯ. В частности, пороговый ток ниже и более устойчив к температуре, LCC более линейна, а эффективность сетевой розетки выше в лазерах ABL.

    Журнал Физики: Серия конференций 741 (2016) 012111

    O ~ 0,2

    O 3 +3 O

    0,0 0,00

    ABL QWL IL

    0,25 0,50

    Инъекционный ток, I (A)

    Рис. 8. Зависимость тока паразитной рекомбинации от тока инжекции в лазере ABL с КЯ с промежуточными слоями и контрольной КЯЯ.

    ABL QWL

    ABL QWL IL

    0,25 I (A)

    Рис. 9. Зависимость внутреннего дифференциального квантового выхода от тока инжекции в лазерах с ABL QW без промежуточных слоев и с эталонной CQWL.

    ABL QWL

    0,25 I (A)

    Рис. 10. Амплитудно-токовая характеристика в лазерах с ABL QW без промежуточных слоев и с ними и эталонной CQWL.

    Рис. 13. Экспериментальная эффективность настенной пробки в зависимости от тока инжекции в (1) лазере ABL с КЯ с промежуточными слоями и (2) эталонном CQWL на рис. 5 при (a) 20 и (b) 75°C.

    Рис. 11. Диаграмма энергетического диапазона экспериментального лазера ABL с КЯ, использованного для измерений на рис. 12.

    —1—1— . 20°С (а) —

    Тест J §

    ……

    0 2 4 6 8 10

    Оптическая мощность, Вт

    0 2 4 6 8 10

    Оптическая мощность, Вт

    График 1 выходная оптическая мощность, измеренная в лазере ABL QW на рис. 11 и CQWL при 20°C (а) и 60°C (b).

    Journal of Physics: Conference Series 741 (2016) 012111

    Благодарность

    Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект 14-42-00006 «Новый тип

    диодные лазеры с улучшенными характеристиками за счет использования асимметричных барьеров»). 1993 Quantum Well Lasers (Бостон: Academic)

    [3] Kapon E ed 1999 Semiconductor Lasers I: Fundamentals, 1st Edition (New York: Academic)

    [4] Temkin H, Coblentz D, Logan R A, Vandenberg J M, Ядвиш Р Д и Сержант А М 19m Лазеры с квантовыми ямами с напряженным слоем на основе InP IEEE J. Quantum Electron. 32 1478-95

    [7] Казаринов Р.Ф., Штенгель Г.Е. 1997 Влияние нагрева носителей на статическую линейность лазеров MQW

    InGaAsP/InP J. Lightw. Технол. 15 2284-6

    [8] Максимов М.В., Асрян Л.В., Шерняков Ю.М., Цацульников А.Ф., Каяндер И.Н., Николаев В.В.,

    Ковш А.Р., Михрин С.С., Устинов В.М., Жуков А.Е., Алферов З.И., Леденцов Н.Н., Бимберг D 2001 Усиливающие и пороговые характеристики длинноволновых лазеров на основе квантовых точек InAs/GaAs, сформированных фазовым разделением активированного сплава IEEE J. Quantum Electron. 37 676-83 9m-излучающие диодные лазеры Alfree Appl. физ. лат. 73 1182-4

    [12] Лившиц Д.А., Кочнев И.В., Лантратов В.М., Леденцов Н.Н., Налёт Т.А., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. 2000 Повышенный уровень катастрофического оптического повреждения зеркал в InGaAs/AlGaAs лазерных диодах Электрон. лат. 36 1848-9

    [13] Винокуров Д А, Зорина С А, Капитонов В А, Мурашова А В, Николаев Д Н, Станкевич А Л,

    Хомылев М А, Шамахов В В, Лешко А Ю, Лютецкий А В, Налет Т А, Пихтин Н А, Слипченко С О , Соколова З. Н., Фетисова Н.В., Тарасов И.С. Мощные лазерные диоды на основе асимметричных гетероструктур с раздельным ограничением, 2005. Semicond., 39.370-3

    [14] Асрян Л.В. и Лурий С. Туннельно-инжекционный лазер на квантовых точках: сверхвысокая температура

    стабильность IEEE J. Quantum Electron. 37 905-10

    [15] Асрян Л.В., Лурьй С. Термонечувствительный полупроводниковый лазер на квантовых точках Solid-

    State Electron. 47 205-12

    [16] Асрян Л.В. и Лурий С. Лазеры на квантовых точках, 2004. Теоретический обзор Полупроводниковые наноструктуры для оптоэлектронных приложений (Бостон: Издательство Artech House) (стр. 113-58), глава 4

    [17] Асрян Л.В., Лурьй С. 2005 Полупроводниковый лазер с пониженной температурной чувствительностью U.S.

    Патент 6 8 70 1 78 B2

    [18] Хан Д.С., Асрян Л.В. 2008 Туннельная инжекция электронов и дырок в квантовые точки: А инструмент для мощной генерации Appl. физ. лат. 92 251113

    Journal of Physics: Conference Series 741 (2016) 012111

    [19] Хан Д. С., Асрян Л.В. 2008 Характеристическая температура туннельно-инжекционного лазера на квантовых точках: эффект туннелирования из квантовых точек Solid-State Electron. 52 1674-9

    [20] Хан Д-С, Асрян Л.В. 2009 Влияние смачивающего слоя на выходную мощность двойного

    туннельно-инжекционного лазера на квантовых точках J. Lightw. Технол. 27 5775-82

    [21] Хан Д-С, Асрян Л.В. 2010 Выходная мощность лазера на квантовых точках с двойной туннельной инжекцией

    Нанотехнологии 21 015201

    [22] Асрян Л.В. 2015 Полоса модуляции лазера на квантовых точках с двойной туннельной инжекцией Полуконд. науч. Технол. 30 035022

    [23] Асрян Л.В., Крыжановская Н.В., Максимов М.В., Егоров А.Ю., Жуков А.Е. Ленточно-инженерный лазер с квантовыми ямами, 2011. Semicond. науч. Технол. 26 055025

    [24] Жуков А.Е., Крыжановская Н.В., Максимов М.В., Егоров А.Ю., Павлов М.М., Зубов Ф.И., Асрян Л.В. Полупроводниковые лазеры с асимметричными барьерными слоями: подход к высокотемпературной стабильности. 45 530-5

    [25] Асрян Л.В., Крыжановская Н.В., Максимов М.В., Зубов Ф.И., Жуков А.Е. Амплитудно-амперные характеристики квантоворазмерного лазера с асимметричными барьерными слоями, 2013. ПМТФ. физ. 114 143103

    [26] Жуков А.Е., Асрян Л.В., Семенова Е.С., Зубов Ф.И., Крыжановская Н.В., Максимов М.В. 2015 Об оптимизации асимметричных барьерных слоев в лазерных гетероструктурах InAlGaAs/AlGaAs на подложках GaAs. 49935-8

    [27] Асрян Л.В., Зубов Ф.И., Крыжановская Н.В., Максимов М.В., Жуков А.Е. Теория мощностных характеристик лазеров с асимметричными барьерными слоями: Учет асимметрии в заполнении электронных и дырочных состояний. 50

    [28] Жуков А.Е., Крыжановская Н.В., Зубов Ф.И., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Семенова Е.С., Ивинд К., Асрян Л.В. 2012 Повышение температурной стабильности лазера с квантовыми ямами с асимметричными барьерными слоями Прикл. физ. лат. 100 021107

    [29] Жуков А.Е., Асрян Л.В., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Зубов Ф.И., Крыжановская Н. В., Ивинд К., Семенова Е.С. 2012 Влияние асимметричных барьерных слоев в области волновода на температурные характеристики лазеров с квантовыми ямами. 46 1027-31

    [30] Зубов Ф.И., Жуков А.Е., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Крыжановская Н.В., Ивинд К., Семенова Е.С., Асрян Л.В. Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на мощностные характеристики лазеров с КЯ, 2015 Техническая физ. лат. 41 439-42

    [31] Зубов Ф.И., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Крыжановская Н.В., Семенова Е.С., Ивинд К., Асрян Л.В., Жуков А.Е. Электрон. лат. 51 1106-8

    [32] Зубов Ф.И., Жуков А.Е., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Семенова Е.С., Асрян Л.В. Диодные лазеры с асимметричными барьерами для спектрального диапазона 850 нм: экспериментальные исследования мощностных характеристик // Физ. конф. сер. 643 012042 9м лазеры с квантовыми точками на чужеродных подложках: рост с использованием метода уменьшения дефектов, мощная непрерывная работа и устойчивость к деградации Proc. SPIE 6133 61330S-1-12

    [35] Асрян Л. В. Спонтанная излучательная рекомбинация и безызлучательная оже-рекомбинация в квантоворазмерных гетероструктурах, 2005. Квантовая электроника. 35 1117-20

    [36] Асрян Л.В., Сурис Р.А. Пространственное прожигание дырок и порог многомодовой генерации в лазерах на квантовых точках, 1999. Прикл. физ. лат. 74 1215-7

    Journal of Physics: Conference Series 741 (2016) 012111

    [37] Асрян Л.В., Лурьй С., Сурис Р.А. Собственная нелинейность ватт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров с квантоворазмерной активной областью Прикл. физ. лат. 81 2154-6

    [38] Асрян Л.В., Лурий С. и Сурис Р.А. 2003. Внутренняя эффективность полупроводниковых лазеров с квантово-размерной активной областью

    IEEE J. Quantum Electron. 39 404-18

    [39] Асрян Л.В., Соколова З.Н. Оптическая мощность полупроводниковых лазеров с малоразмерной активной областью, 2014. ПМТ. физ. 115 023107

    Международная студенческая научная ярмарка 2018: Разработка дифракционной решетки для элемента направленного вывода излучения микролазеров

    • < Предыдущее событие
    • Следующее событие >
    •  

     

    Советник(и)

    Крыжановская Н. В. Поскольку они имеют множество преимуществ, их можно использовать во многих научных и промышленных областях, например, в микросхемах для передачи данных, чтобы уменьшить электрические цепи. Но есть и недостаток: они излучают во все стороны в плоскости подложки. Поэтому разрабатываются элементы направленного вывода излучения. Обязательной частью такого элемента является дифракционная решетка, нанесенная на поверхность волновода. Такие решетки уже создаются, но очень дорогими методами, например электронной литографией. Представлена ​​методика создания дифракционных решеток методом атомно-силовой микроскопии литографии.

    Для создания прототипа необходимой дифракционной решетки использовались дешевые образцы: фрагменты компакт-диска. Мы создали зонды для атомно-силового микроскопа методом электрохимического травления и откалибровали блок с помощью калибровочных наноструктур. Далее исследовали рельеф образцов для создания матрицы взаимодействия зонда с поверхностью.

    Для нахождения необходимой глубины литографии рельеф формировали в несколько этапов, постепенно увеличивая силу взаимодействия зонда с поверхностью. В результате был изготовлен макет дифракционной решетки с необходимым периодом и удовлетворительным профилем. Кроме того, поскольку угол излучения зависит от периода решетки, мы исследовали диапазон допустимых периодов. В результате были созданы прототипы решеток на КД с периодами около 1 мкм и выше.