МБОУ СОШ № 1 Г. ШАТУРЫ, Шатура (ИНН 5049012430), реквизиты, выписка из ЕГРЮЛ, адрес, почта, сайт, телефон, финансовые показатели

Обновить браузер

Обновить браузер

Возможности

Интеграция

О системе

Статистика

Контакты

CfDJ8HJyMSOWarhLkJBDZs2NT-FTrjDYnZ7KPgfJEMyZbow8f6ySGDrb1r-tc6T4PS9twxUo_8_H7kQd9fiS6a0MuHCKAbvnIttVJHAr3jr_LqL8LIEvJ98YjPyrCuvUc9jm7dy5sZyIWIbYwSRbCXruLOA

Описание поисковой системы

энциклопедия поиска

ИНН

ОГРН

Санкционные списки

Поиск компаний

Руководитель организации

Судебные дела

Проверка аффилированности

Исполнительные производства

Реквизиты организации

Сведения о бенефициарах

Расчетный счет организации

Оценка кредитных рисков

Проверка блокировки расчетного счета

Численность сотрудников

Уставной капитал организации

Проверка на банкротство

Дата регистрации

Проверка контрагента по ИНН

КПП

ОКПО

Тендеры и госзакупки

Поиск клиентов (B2B)

Юридический адрес

Анализ финансового состояния

Учредители организации

Бухгалтерская отчетность

ОКТМО

ОКВЭД

Сравнение компаний

Проверка товарных знаков

Проверка лицензии

Выписка из ЕГРЮЛ

Анализ конкурентов

Сайт организации

ОКОПФ

Сведения о регистрации

ОКФС

Филиалы и представительства

ОКОГУ

ОКАТО

Реестр недобросовестных поставщиков

Рейтинг компании

Проверь себя и контрагента

Должная осмотрительность

Банковские лицензии

Скоринг контрагентов

Лицензии на алкоголь

Мониторинг СМИ

Признаки хозяйственной деятельности

Репутационные риски

Комплаенс

Компания МБОУ СОШ № 1 Г. ШАТУРЫ, адрес: Московская обл, Шатура г, г.о. Шатура, пр-кт Ильича, д. 25 зарегистрирована 26.11.2002. Организации присвоены ИНН 5049012430, ОГРН 1025006468717, КПП 504901001. Основным видом деятельности является образование среднее общее, всего зарегистрировано 6 видов деятельности по ОКВЭД. Связи с другими компаниями отсутствуют.

Количество совладельцев (по данным ЕГРЮЛ): 1, директор — Кузнецова Татьяна Николаевна.
Компания МБОУ СОШ № 1 Г. ШАТУРЫ не принимала участие в тендерах. В отношении компании нет исполнительных производств. МБОУ СОШ № 1 Г. ШАТУРЫ участвовало в 1 арбитражном деле: в 1 в качестве ответчика.
Реквизиты МБОУ СОШ № 1 Г. ШАТУРЫ, юридический адрес, официальный сайт и выписка ЕГРЮЛ доступны в системе СПАРК (демо-доступ бесплатно).

Полная проверка контрагентов в СПАРКе

• Неоплаченные долги
• Арбитражные дела
• Связи
• Реорганизации и банкротства
• Прочие факторы риска

Полная информация о компании МБОУ СОШ № 1 Г.

ШАТУРЫ

299₽

• Регистрационные данные компании
• Руководитель и основные владельцы
• Контактная информация
• Факторы риска
• Признаки хозяйственной деятельности
• Ключевые финансовые показатели в динамике
• Проверка по реестрам ФНС

Купить Пример

999₽

Включен мониторинг изменений на год

• Регистрационные данные компании
• История изменения руководителей, наименования, адреса
• Полный список адресов, телефонов, сайтов
• Данные о совладельцах из различных источников
• Связанные компании
• Сведения о деятельности
• Финансовая отчетность за несколько лет
• Оценка финансового состояния

Купить Пример

Бесплатно

• Отчет с полной информацией — СПАРК-ПРОФИЛЬ
• Добавление контактных данных: телефон, сайт, почта
• Добавление описания деятельности компании
• Загрузка логотипа
• Загрузка документов

Редактировать данные

СПАРК-Риски для 1С

Оценка надежности и мониторинг контрагентов

Узнать подробности

Заявка на демо-доступ

Заявки с указанием корпоративных email рассматриваются быстрее.

Вход в систему будет возможен только с IP-адреса, с которого подали заявку.

Компания

Телефон

Вышлем код подтверждения

Эл. почта

Вышлем ссылку для входа

Нажимая кнопку, вы соглашаетесь с правилами использования и обработкой персональных данных

Средние школы в Шатуре — 20 адресов

Вам нужны клиенты? Вход

Шатура

Bebeshka Родителям о детях

Афиша СтатьиОтзывы

Найти средние школы рядом со мной

Сортировать по рейтингу по названию

Дер. Левошево школа Петровская основная

• деревня Левошево, 10А
• +7 (49645). ..Показать телефон
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

МБОУ Начальная школа — детский сад поселка Пустоши

• поселок Пустоши, Школьная улица, 1
• пн-пт 07:30–18:00
• Посмотреть на карте

Рубрики: Детские сады, Начальные школы, Средние школы

МБОУ ООШ Р. П. Мишеронский

• рабочий поселок Мишеронский, Советская улица, 13А
• +7 (496) 4…Показать телефон
• пн-пт 08:00–17:00; сб 08:00–14:00
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

МБОУ СОШ села Кривандино

• поселок Центральной усадьбы совхоза Мир, Центральная улица, 14
• +7 (49645). ..Показать телефон
• пн-сб 08:00–20:00
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

МБОУ СОШ № 1 г. Шатуры

• проспект Ильича, 25
• +7 (916) 1…Показать телефон
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

МОУ СОШ имени Героя Советского Союза Н. П. Кочеткова села Пышлицы Шатурского муниципального района Московской области

• село Пышлицы, 55
• +7 (496) 4…Показать телефон
• пн-сб 08:00–20:00
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

Основная Общеобразовательная школа Имени Героя Советского Союза И. И. Борзова Села Середниково

• село Середниково, 264
• пн-сб 08:00–17:00
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

Основная общеобразовательная школа поселка Бакшеево

• поселок Бакшеево, Комсомольская улица, 22
• +7 (496) 4. ..Показать телефон
• пн-сб 08:00–16:00, перерыв 13:00–14:00
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

Основная Общеобразовательная школа Поселка Осаново-Дубовое

• поселок Осаново-Дубовое, Школьная улица, 11
• +7 (49645)…Показать телефон
• пн-пт 08:00–18:00
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

Основная Общеобразовательная школа Поселка Туголесский Бор

• поселок Туголесский Бор, улица Горького, 29
• +7 (496) 4…Показать телефон
• пн-пт 08:00–18:20; сб 08:00–13:00
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

Основная общеобразовательная школа поселка Шатурторф

• поселок Шатурторф, Интернациональная улица, 14
• +7 (49645). ..Показать телефон
• пн-пт 08:00–16:00; сб 08:00–13:00
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

Основная Общеобразовательная школа № 5 Города Шатуры

• Вокзальная улица, 76
• пн-пт 08:30–18:00; сб 08:30–13:30
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

Средняя Общеобразовательная школа Имени Героя Российской Федерации А. И. Баукина поселка Радовицкий

• поселок Радовицкий, Клубная улица, 11
• +7 (496) 4…Показать телефон
• пн-пт 08:00–17:00; сб 08:00–14:00
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

Средняя общеобразовательная школа рабочего поселка Черусти

• рабочий поселок Черусти, Вокзальная улица, 25
• +7 (49645). ..Показать телефон
• пн-пт 08:00–18:00
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

Средняя Общеобразовательная школа Рабочего Поселка Черусти Городского Округа Шатура

• Вокзальная улица, 25
• +7 (49645)…Показать телефон
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

Средняя общеобразовательная школа № 2 города Шатуры

• проспект Ильича, 24
• +7 (49645)…Показать телефон
• пн-пт 08:00–18:00; сб 08:00–13:30
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

Школа № 4 г. Шатуры

• улица Жарова, 16
• +7 (49645). ..Показать телефон
• пн-пт 08:00–19:00; сб 08:00–14:00
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

МБОУ Вечерняя общеобразовательная школа [Закрыто]

• деревня Новосидориха, 3
• +7 (49645)…Показать телефон
• пн-пт 08:00–18:00
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

Основная Общеобразовательная школа Микрорайона Керва города Шатуры [Закрыто]

• Больничный пр., 16, микрорайон Керва
• +7 (496) 4…Показать телефон
• пн-пт 8:00–17:00; сб 8:00–13:00
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

Средняя Общеобразовательная школа № 3 Города Шатуры [Закрыто]

• площадь Ленина, 2
• +7 (49645). ..Показать телефон
• ежедневно, 10:00-22:00
• Посмотреть на карте

Рубрики: Средние школы

Список школ в Шатуре. Автоматический поиск ближайших организаций. Адреса и телефоны, краткие описания заведений с режимом работы и ссылками на их официальные сайты. Для вашего удобства все организации представлены как на карте, так и в виде рейтинга.

Лучший частный университет в Shatura

B Tech CSE

Продолжительность: 4 года

Плата: 110000

По набор: 60

ПРИНЦЕСТВО: Ранг в главном JEE/HPCET ANGGETATE 45 45 45 45. % или эквивалент в 10+2 по следующим предметам. Обязательные предметы: — Математика и физика. Любой из этих предметов: Химия и информатика/Биохимия/Биология/Технические профессиональные предметы

B.Tech. — Машиностроение

Продолжительность: 4 года

Плата: 110000

Потребление: 60

ПРЕДЛОЖЕНИЕ: Владельцы рангов в JEE Main/HPCET и совокупный минимум 45% или эквивалент в 10+2 на следующих субъектах. Обязательные предметы: — Математика и физика. Любой из них: Химия и информатика/Биохимия/Биология/Технические профессиональные предметы

BCA

Продолжительность: 3 года

Плата: 50000

Потребление: 30

Право на участие: Минимальный аггреграт 45% или эквивалент в 10+2 в любом потоке от рек. 65000

Прием: 30

Право на участие: Минимальный совокупный балл 50% (45% в случае SC/ST) или эквивалент по математике или математике до 10+2

M.Tech. — Машиностроение, ЕГЭ

Продолжительность: 2 года

Плата: 95000

Потребление: 18

Право на участие: BE/B.Tech в ME с минимальным совокупным 50% (45% в случае SC/ST).

M.Tech CSE с неполным временем

Продолжительность: 3 года

Плата: 80000

Потребление: 15

Право. % или действительный минимальный балл GATE по компьютерным наукам и инженерии / ME или MCA/M.Sc (компьютер/ИТ/математика) с общим минимумом 50%

Бакалавр наук. (С отличием) — Химия

Продолжительность: 3 года

Плата: 45000

Потребление: 30

Прием. признанный совет/университет с физикой, химией и математикой с 50% или эквивалентной оценкой (для кандидатов SC/ST оценка правомочности будет 45% или эквивалентная оценка)

B.Sc. Немедицинский

Продолжительность: 3 года

Плата: 45000

Потребление: 30

Право на участие: Кандидат должен был сдать 10+2 (класс XII) или его эквивалент из признанного совета/университета с Университетом с Университетом. Физика, химия и математика с 50% или эквивалентной оценкой (для кандидатов SC/ST оценка правомочности будет 45% или эквивалентная оценка)

M.Sc. Химия

Продолжительность: 2 года

Плата : 52500

Прием : 40

Право на участие : Высшее образование по математике, химии и физике, имеющее не менее 50% совокупного или эквивалентного CGPA признанного университета.

Магистр математики/магистр математики Математика

Продолжительность: 2 года

Плата: 45000

Потребление: 30

Право на участие: Выпускник науки с математикой, химия и физика с минимальным 50% агрегатным или эквивалентным CGPA от узнаваемого университета.

Магистр наук. Физика

Продолжительность: 2 года

Плата: 50000

Потребление: 30

Прием.

Магистр наук. Фармацевтическая химия

Продолжительность: 2 года

Стоимость: 45000

Прием: 30

Право на участие: Выпускник естественных наук по математике, химии и физике, имеющий не менее 50% совокупного или эквивалентного CGPA признанного университета

M.Sc. Судебные науки

Продолжительность: 2 года

Плата: 55000

Потребление: 18

Право на участие: % баллов (45% в случае SC/ST)

Б.

Ком.

Duration : 3 Years

Fee : 45000

Intake : 60

Eligibility : Minimum aggregate of 45% or equivalent

BBA

Duration : 3 Years

Fee : 48000

Прием : 60

Право на участие : Высшее образование по математике, химии и физике, имеющее не менее 50% совокупного или эквивалентного CGPA признанного университета

MBA

Продолжительность: 2 года

Плате SC/ST) в совокупности общих оценок любого университета имеют право подать заявку на поступление и сдали MAT/CAT/GMAT или выше 60%

MBA (гостиничное дело и туризм)

Продолжительность: 2 года

Плата: 80000

Прием: 30

Право на участие: Выпускной экзамен по любому потоку или эквивалентный экзамен, обеспечивающий минимум 50% баллов по совокупности (45% в SC) оценки любого университета имеют право подать заявку на поступление и были представлены на MAT/CAT/GMAT или выше 60%

B.

A. Бакалавр права (с отличием)

Продолжительность: 5 лет

Стоимость: 57750

Прием: 60

Право на участие: Минимальная совокупность 45% (40% в случае SC/ST) или эквивалент в 10+2 от признанного Совета по предметам науки/коммерции/искусства.

БАКАЛОР ПРАВО (LL.B)

Продолжительность: 3 года

Плате /ST) или эквивалент в дипломе признанного университета

Магистр закона (LL.M)

Продолжительность: 1 Годы

Плата: 60000

Потребление: 40

ПРЕДЛОЖЕНИЕ: Кандидаты, которые прошли. B. или эквивалентный экзамен, признанный UGC, обеспечивающий минимум 55% оценок (50% по причине SC/ST) в совокупности общих оценок.

Б.А. Общий

Продолжительность: 3 года

Стоимость: 20000

Набор: 120

Право на участие : Пройти в 10+2 в любом потоке с признанной доски.

Бакалавр в дизайне моды

Продолжительность: 3 года

Плата: 68250

Потребление: 30

ПРИБОТА: 10+2 В любом потоке или эквивалентном эквиваленте. эквивалент в 10+2 в любом потоке от признанного совета

Бакалавр журналистики и массовых коммуникаций (BJMC)

Продолжительность: 3 года

Плата: 60000

Потребление: 30

Право на участие: 10+2 в любом потоке или эквивалентный экзамен. /ST) в сумме общих оценок с любой доски

Магистр гуманитарных наук — английский язык (MA English)

Продолжительность: 2 года

Стоимость: 25000

6 09 Набор: 30000005 Право на участие: минимальный совокупный совокупный совокупность 45% или эквивалент для выпускника в любом потоке из признанного совета

Магистр искусств — Социология (M.A. Социология)

Продолжительность: 2 года

: 25000

. : 30

Право на участие : Минимум совокупный 45% или эквивалент в любом потоке от признанного Совета

Магистр гуманитарных наук — Социальная работа (MA Социальная работа)

Продолжительность: 2 года

Плата: 25000

Потребление: 30

ПРЕДЛОЖЕНИЕ: Минимальный агрегат 45% или эквивалент выпускника в любом потоке из признанной доски

Мастеры Артов — Психология

Продолжительность: 2 года

Плата: 25000

Прием: 30

Право на участие: 9 из признанных выпускников или эквивалент в любом потоке Минимум 45% в совокупности 45%0007

Master Of Arts — Hindi

Продолжительность: 2 года

Плата: 25000

Потребление: 20

Право на участие: Минимальный агрегат из 45% или эквивалента в выпускном Правление

Магистр искусств — История

Продолжительность: 2 года

Плата: 25000

Потребление: 20

Право на участие: Минимальный агрегат из 45% или эквивалента в выпускном признанная доска

Магистр искусств — Политология

Продолжительность: 2 года

Плата: 25000

Потребление: 20

Право на участие: Минимальный агрегат из 45% или эквивалента в выпускном в любом потоке от потока из потока из потока из потока из потока из потока из потока из потока от потока из потока из -за признанный Совет

Магистр искусств – образование

Продолжительность: 2 года

Плата: 25000

Прием: 20 : 5 Право на участие: 50006 Минимальный совокупность 45% или эквивалент по выпускникам в любом потоке от признанной доски

Магистр искусств — Экономический

Продолжительность: 2 года

Плате : Минимум совокупный 45% или эквивалент в любом потоке от признанного Совета

Магистр гуманитарных наук — география

Продолжительность : 2 года

Плата : 25000

Потребление: 20

Право на участие: Минимальный агрегат 45% или эквивалент в выпускниках в любом потоке от признанной доски

B.

Pharm

Продолжительность: 4 года

: 6 Продолжительность: 4 года

: 4 . 105000

Прием: 60

Право на участие: 10+2 (медицинские и немедицинские) с минимальной суммой 45% (40% по причине SC/ST) от признанного Совета по образованию штата или Совета по образованию открытых школ центрального правительства / правительства штата.

Д.Фарм. — Аллопатия

Продолжительность: 2 года

Плата: 75000

Потребление: 60

Право на участие: Минимальный агрегат 50% или эквивалент в 10+2. Медицина

М. Аптека (фармацевтика)

Продолжительность: 2 года

Плата: 110000

Прием: 15

70006 B.Farmacy с минимальной отметкой 50% (45% для SC/ST)

M. Аптека (фамакология)

Продолжительность: 2 года

Плата: 110000

Потребление: 15

5

. Право на участие: B.Pharmacy с минимальной отметкой 50% (45% для SC/ST)

Bachelor of Physiotherapy (BPT)

Продолжительность: 4,5 лет

Плата: 80000

. Потребление: 40 .

Право на участие: Минимальная совокупность 50% или эквивалент в 10+2 от признанного медицинского совета (физика, химия и биология)

MPT Ортопедия*

Продолжительность: 2 года

Плата: 0004 9

10

Право на участие: Выпускной курс по физиотерапии или эквивалентный экзамен, обеспечивающий минимум 50% баллов0004 Плата: 80000

Потребление: 10

ПРЕДЛОЖЕНИЕ: Выпуск в области физиотерапевтического потока или эквивалентное обследование. Плата: 80000

Прием: 10

Право на участие: Окончание курса физиотерапии или эквивалентный экзамен с минимум 50% баллов

MPT Sports Rehabilation*

Продолжительность: 2 года

Плата: 80000

Потребление: 10

. .Voc Разработка программного обеспечения

Продолжительность: 3 года

Плата: 35000

Ввод: 30

209 900 эквивалент от 11 доски 60007

B.voc Продажа и маркетинг

Продолжительность: 3 года

Плата: 35000

Потребление: 30

ПРИБОРСТВЕННОСТЬ: 10+2 ЭКАКАЛЬНЫ Управление логистикой

Продолжительность: 3 года

Плата: 35000

Прием: 30

Эквивалент 2: 100

7

B.voc Банковские и финансовые услуги

Продолжительность: 3 года

Плата: 35000

Потребление: 30

ПРИБОВАНИЕ: 10+2 эквивалент из рек. и гостиничный менеджмент

Продолжительность: 3 года

Плата: 35000

Набор: 30

Эквивалент 2 из 10

7

B.

voc Продовольственная обработка

Продолжительность: 3 года

Плата: 35000

Потребление: 30

ПРЕДЛОЖЕНИЕ: 10+2 ЭКАКАВАЛЬНЫЕ С ПЕРЕКОНИЗАЦИЯ

B.voc.

Продолжительность: 3 года

Плата: 35000

Потребление: 30

ПРЕДЛОЖЕНИЕ: 10+2 эквивалент из реконизированного совета

M. Руководство по управлению и маркетинг 9+2.0003

Продолжительность: 2 года

Плата: 50000

Потребление: 30

ПРЕДЛОЖЕНИЕ: B.VOC / выпускной с минимумом 50% (45% для SC / ST)

M. Управление управлением VOC Управление человеческими ресурсами

Продолжительность: 2 года

Плате )

Выравнивание одноатомных углеродных цепей с помощью электрического поля

. 2020 16 июня; 10 (1): 9709.

doi: 10. 1038/s41598-020-65356-8.

Стелла Кутровская ^{1 2 3} , Игорь Честнов ^{4 5 6} , Антон Осипов ^{7 8} , Влад Самышкин ⁷ , Ирина Сапегина ⁹ , Алексей Кавокин ^{10 11 12 13} , Алексей Кучерик ⁷

Принадлежности

• ¹ Научная школа Университета Вестлейк, улица Шилуншань, 18, Ханчжоу, 310024, провинция Чжэцзян, Китай. [email protected].
• ² Институт естественных наук, Институт перспективных исследований Вестлейк, улица Шилуншань, 18, Ханчжоу, 310024, провинция Чжэцзян, Китай. [email protected].
• ³ Кафедра физики и прикладной математики Владимирского государственного университета имени Столетова, 600000, г. Владимир, ул. Горького, 87. [email protected]. 909:50
• ⁴ Научная школа Университета Вестлейк, улица Шилуншань, 18, Ханчжоу, 310024, провинция Чжэцзян, Китай. [email protected].
• ⁵ Институт естественных наук, Институт перспективных исследований Вестлейк, улица Шилуншань, 18, Ханчжоу, 310024, провинция Чжэцзян, Китай. [email protected].
• ⁶ Кафедра физики и прикладной математики Владимирского государственного университета имени Столетова, ул. Горького, 87, г. Владимир, 600000, Россия. [email protected]. 909:50
• ⁷ Кафедра физики и прикладной математики Владимирского государственного университета имени Столетова, ул. Горького, 87, г. Владимир, 600000, Россия.
• ⁸ ИЛИТ РАН — Филиал ФНЦ «Кристаллография и фотоника» РАН, ул. Святоозерская, 1, г. Шатура, 140700, Московская область, Россия.
• ⁹ Удмуртский Федеральный исследовательский центр УрО РАН, Россия, 426067, г. Ижевск, ул. Барамзина, 34. 909:50
• ¹⁰ Научная школа Университета Вестлейк, улица Шилуншань, 18, Ханчжоу, 310024, провинция Чжэцзян, Китай.
• ¹¹ Институт естественных наук, Институт перспективных исследований Вестлейк, улица Шилуншань, 18, Ханчжоу, 310024, провинция Чжэцзян, Китай.
• ¹² Российский Квантовый Центр, ИЦ Сколково, 121205, Москва, Большой бульвар, д. 30.
• ¹³ Лаборатория спиновой оптики, Санкт-Петербургский государственный университет, ул. Ульяновская, 1, Санкт-Петербург, 198504, Россия.

• PMID: 32546798
• PMCID: PMC7297712
• DOI: 10.1038/с41598-020-65356-8 909:50

Бесплатная статья ЧВК

Стелла Кутровская и др. Научный представитель 2020 .

Бесплатная статья ЧВК

. 2020 16 июня; 10 (1): 9709.

doi: 10.1038/s41598-020-65356-8.

Авторы

Стелла Кутровская ^{1 2 3} , Игорь Честнов ^{4 5 6} , Антон Осипов ^{7 8} , Влад Самышкин ⁷ , Ирина Сапегина ⁹ , Алексей Кавокин ^{10 11 12 13} , Алексей Кучерик ⁷

Принадлежности

• ¹ Научная школа Университета Вестлейк, улица Шилуншань, 18, Ханчжоу, 310024, провинция Чжэцзян, Китай. [email protected].
• ² Институт естественных наук, Институт перспективных исследований Вестлейк, улица Шилуншань, 18, Ханчжоу, 310024, провинция Чжэцзян, Китай. [email protected]. 909:50
• ³ Кафедра физики и прикладной математики Владимирского государственного университета имени Столетова, 600000, г. Владимир, ул. Горького, 87. [email protected].
• ⁴ Научная школа Университета Вестлейк, улица Шилуншань, 18, Ханчжоу, 310024, провинция Чжэцзян, Китай. [email protected].
• ⁵ Институт естественных наук, Институт перспективных исследований Вестлейк, улица Шилуншань, 18, Ханчжоу, 310024, провинция Чжэцзян, Китай. [email protected]. 909:50
• ⁶ Кафедра физики и прикладной математики Владимирского государственного университета имени Столетова, ул. Горького, 87, г. Владимир, 600000, Россия. [email protected].
• ⁷ Кафедра физики и прикладной математики Владимирского государственного университета имени Столетова, ул. Горького, 87, г. Владимир, 600000, Россия.
• ⁸ ИЛИТ РАН — Филиал ФНЦ «Кристаллография и фотоника» РАН, ул. Святоозерская, 1, г. Шатура, 140700, Московская область, Россия. 909:50
• ⁹ Удмуртский Федеральный исследовательский центр УрО РАН, Россия, 426067, г. Ижевск, ул. Барамзина, 34.
• ¹⁰ Научная школа Университета Вестлейк, улица Шилуншань, 18, Ханчжоу, 310024, провинция Чжэцзян, Китай.
• ¹¹ Институт естественных наук, Институт перспективных исследований Вестлейк, улица Шилуншань, 18, Ханчжоу, 310024, провинция Чжэцзян, Китай. 909:50
• ¹² Российский Квантовый Центр, ИЦ Сколково, 121205, Москва, Большой бульвар, д. 30.
• ¹³ Лаборатория спиновой оптики, Санкт-Петербургский государственный университет, ул. Ульяновская, 1, Санкт-Петербург, 198504, Россия.

• PMID: 32546798
• PMCID: PMC7297712
• DOI: 10.1038/с41598-020-65356-8

Абстрактный

Мы стабилизируем одноатомные углеродные цепочки в воде, присоединяя их к наночастицам золота (НЧ) с помощью процесса лазерной абляции. Полученные нанообъекты представляют собой пары НЧ, соединенных множеством прямых углеродных цепочек длиной в несколько нанометров. Если НЧ на противоположных концах цепочки различаются по размеру, структура приобретает дипольный момент из-за различия работы выхода двух НЧ. Мы воспользуемся дипольной поляризацией углеродных цепочек для их упорядочения внешним электрическим полем. Наносим их на стеклянную подложку методом напыления в присутствии статических электрических полей величиной до 10 ⁵ В/м. Об образовании одномерных квазикристаллов карбина, нанесенных на подложку, свидетельствуют данные ПЭМ высокого разрешения и рентгеновской дифракции. Оригинальная кинетическая модель, описывающая динамику баллистически движущихся нанодиполей, воспроизводит экспериментальную диаграмму ориентации осаждаемых цепей.

Заявление о конфликте интересов

gov/pub-one»> Авторы заявляют об отсутствии конкурирующих интересов.

Цифры

Рисунок 1

( a ) Схема…

Рисунок 1

( a ) Схема экспериментальной установки для контролируемого…

фигура 1

( a ) Схема экспериментальной установки для контролируемого осаждения углеродных цепочек, стабилизированных НЧ золота. Ориентация электрического поля внутри конденсатора указана красными стрелками, ( b ) гистограмма распределения НЧ по размерам, полученная с помощью анализа динамического лазерного рассеяния. На вертикальной оси показано процентное содержание НЧ золота размером d , ( c ) углеродная проволока, увенчанная на концах НЧ золота разного радиуса в присутствии статического электрического поля. Красными стрелками показаны направления кулоновских сил, действующих на НЧ золота.

Рисунок 2

Характеристика наплавленных тонких…

Рисунок 2

Характеристика осажденных тонких пленок: ( a ) Спектр комбинационного рассеяния. (…

фигура 2

Характеристика осажденных тонких пленок: ( a ) Спектр комбинационного рассеяния. ( b ) Схема структуры одиночной карабиновой проволоки. Перегибы (ступенчатые дефекты линейной цепи) образованы двумя атомами углерода, соединенными одинарной связью С–С. Постоянная решетки c составляет 2,57  Å для полииновой цепи. ( c ) Электронограмма тонкого осажденного слоя. Рефлексы помечены соответствующими индексами Миллера. На вставке показана соответствующая структура кристалла карбина в реальном пространстве в направлении, перпендикулярном цепочкам. Параллельные цепочки удерживаются вместе ван-дер-ваальсовым взаимодействием.

Рисунок 3

( a ) Изображение TEM…

Рисунок 3

( a ) ПЭМ-изображение пучков карабиновых проводов, прикрепленных к двум…

Рисунок 3

( a ) ПЭМ-изображение пучков карабиновых проводов, прикрепленных к двум НЧ. Темная область внизу соответствует более крупной НЧ почти сферической формы с радиусом ~25 нм. ( b ) – ансамбль близко расположенных нанодиполей, ориентированных вдоль направления электрического поля (отмечены зелеными кривыми). Комплексы NP-карбин, обведенные красным, не проявляют чувствительности к электрическому полю: они ориентированы случайным образом.

Рисунок 4

Распределение угла между…

Рисунок 4

Распределение угла между нанесенными нанодиполями и электрическим полем. Бары…

Рисунок 4

Распределение угла между нанесенными нанодиполями и электрическим полем. Полосы показывают результаты, извлеченные из изображений ПЭМ 116 отдельных нанодиполей. Технические подробности обработки изображений ПЭМ см. в Дополнительных материалах. Красная линия соответствует плотности вероятности (9).

См. это изображение и информацию об авторских правах в PMC

Похожие статьи

• Индуцированный деформацией переход металл-полупроводник, наблюдаемый в цепочках атомарного углерода.

  Ла Торре А., Ботелло-Мендес А., Баазиз В., Шарлье Х.С., Банхарт Ф. Ла Торре А. и др. Нац коммун. 2015 30 марта; 6:6636. дои: 10.1038/ncomms7636. Нац коммун. 2015. PMID: 25818506 Бесплатная статья ЧВК.

• Механизм поляризации ионов вдоль двойных спиралей ДНК.

  Поршке Д. Поршке Д. Биофиз хим. 1985 авг; 22 (3): 237-47. doi: 10.1016/0301-4622(85)80046-6. Биофиз хим. 1985. PMID: 4052577

• Р-орбитальный магнетизм при комнатной температуре в углеродных цепях и роль примесей группы IV, V, VI и VII.

  Вонг Ч., Бунтов Э.А., Зацепин А.Ф., Лю Ж., Лорц Р., Зацепин Д.А., Гусева М.Б. Вонг Ч. и др. Наномасштаб. 2018 14 июня; 10 (23): 11186-11195. дои: 10.1039/c8nr02328j. Наномасштаб. 2018. PMID: 29873371

• Крупные организованные поверхностные домены самоорганизуются из неполярных амфифилов.

  Крафт МП. Крафт депутат. Acc Chem Res. 2012 17 апреля; 45 (4): 514-24. doi: 10.1021/ar200178a. Epub 2011 21 декабря. Acc Chem Res. 2012. PMID: 22185721 Обзор.

• Свойства жидких кристаллов некоторых биополимеров.

  Иидзука Э. Иизука Э. Adv Биофиз. 1988; 24:1-56. doi: 10.1016/0065-227x(88)-2. Adv Биофиз. 1988 год. PMID: 3077236 Обзор.

Посмотреть все похожие статьи

использованная литература

1. 1. Бьянко А. и др. Перспективы углеродной науки в 2018 году: текущие достижения и будущие задачи. Углерод. 2018; 132:785–801. doi: 10.1016/j.carbon.2018.02.058. — DOI 909:50
2. 1. Лю М., Артюхов В.И., Ли Х., Сюй Ф., Якобсон Б.И. Карбин из первых принципов: цепочка атомов С, наностержень или нановеревка. АКС Нано. 2013;7:10075–10082. doi: 10.1021/nn404177r. — DOI — пабмед 909:50
3. 1. Ла Торре А., Ботелло-Мендез А., Баазиз В. , Шарлье Дж. К., Банхарт Ф. Переход металл-полупроводник, вызванный деформацией, наблюдаемый в цепях атомарного углерода. Нац. коммун. 2015;6:6636. дои: 10.1038/ncomms7636. — DOI — ЧВК — пабмед 909:50
4. 1. Крету О. и др. Электрический перенос измеряется в цепочках атомов углерода. Нано Летт. 2013;13:3487–3493. дои: 10.1021/nl4018918. — DOI — пабмед 909:50
5. 1. Занолли З.